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TruePSR® MOSFET 系列

LN1F28/LN1F26/LN1F24 :

    该系列是力生美半导体的新一代集成 MOSFET 的高性能 PSR 功率开关系列产品,采用全新的 TSIP7 大功率封装形式,最大输出功率可高达 40W,产品内置 TruePSRTM 技术,可实现高精度输出稳压控制,典型输出电压误差优于 3%,且具有优异的动态负载响应特性,10%~90% 负载下动态波动小于 5%,芯片还内置了可连续调节的输出线缆压降补偿功能,是极佳的适配器电源架构选择。

    该系列 IC 内置 650V MOSFET 高压功率开关,可在 85~265Vac 的宽电网电压条件下工作,从而满足全球电网应用要求。

    全程谷底开关控制,内置高级能效处理电路,使得系统可以容易地满足 DoE VI 及 CoC V5 Tier2 等 6 级能效要求。

    该系列采用了具有力生美半导体自主开发的超薄超低高度 TSIP7 封装形式,高度较传统的 TO220 封装降低超过 60%,宽度较 DIP8 减少 50%,封装本体高度仅 8mm,外形结构根据最新的安规标准优化设计,并非常易于安装散热片等辅助散热措施,可显著提高芯片的散热能力,同时具有高隔离能力,无障碍满足海拔 5000m 的安规应用要求。

LN1F24/26/28 原理图

    该系列输出功率可涵盖 12W~40W 的范围,包括如下型号:

型号输出功率封装形式规格书
LN1F2825~40WTSIP7

LN1F28_Datasheet_CN_Rev_D_Summary.pdf

LN1F2615~30WTSIP7LN1F26_Datasheet_CN_Rev_E_Summary.pdf
LN1F2412~20WTSIP7LN1F24_Datasheet_CN_Rev_B_Summary.pdf

    

LN1F15/LN1F13 :

    该系列是力生美半导体的新一代集成 MOSFET 的高性能 PSR 功率开关系列产品,采用 SOP7 封装形式,最大输出功率可高达 15W,产品内置 TruePSRTM 技术,可实现高精度输出稳压控制,典型输出电压误差优于 3%,且具有优异的动态负载响应特性,10%~90% 负载下动态波动小于 5%,是极佳的适配器电源架构选择。

    该系列 IC 内置 650V MOSFET 高压功率开关,可在 85~265Vac 的宽电网电压条件下工作,从而满足全球电网应用要求。

    全程谷底开关控制,内置高级能效处理电路,使得系统可以容易地满足 DoE VI 及 CoC V5 Tier2 等 6 级能效要求。

LN1F15/LN1F14/LN1F13 原理图


型号输出功率封装形式规格书
LN1F1510~15WSOP7

LN1F15_Datasheet_CN_Rev_C_Summary.pdf

LN1F146~10WSOP7

LN1F14_Datasheet_CN_Rev_B_Summary.pdf

LN1F133.5~6WSOP7LN1F13_Datasheet_CN_Rev_C_Summary.pdf


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